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深圳市天卓伟业电子有限公司
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深圳市天卓伟业电子有限公司 > 新闻动态 > MOSFET BSP170PE6327T Infineon(英飞凌) SOT-223 20k 咨询了解现货供应 陈丹丹13528438344MOSFET BSP170PE6327T Infineon(英飞凌) SOT-223 20k 咨询了解现货供应 陈丹丹13528438344
发布时间： 2025/4/9 10:42:59 | 16 次阅读
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类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS?
包装
卷带（TR）
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Ta）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）
300 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）
4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）
14 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）
?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）
410 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（zui大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55?C ~ 150?C（TJ）
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
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类别
分立半导体产品
晶体管
FET，MOSFET
单 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS?
包装
卷带（TR）
零件状态
Digi-Key 停止提供
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Ta）
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）
300 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）
4V @ 250?A
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）
14 nC @ 10 V
Vgs（zui大值）
?20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）
410 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（zui大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55?C ~ 150?C（TJ）
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA