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MOSFET BSP295E6327 Infineon(英飞凌) SOT-223-4咨询了解

发布时间： 2025/5/8 10:36:31 | 13 次阅读

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 1.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 9.9 ns
高度: 1.6 mm
长度: 6.5 mm
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9.9 ns
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 27 ns
典型接通延迟时间: 5.4 ns
宽度: 3.5 mm
单位重量: 250.200 mg

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