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GaN 场效应晶体管 BSP299L6327HUSA1 Infineon(英飞凌) SOT-223-4 20k咨询了解

发布时间： 2025/6/11 12:07:03 | 14 次阅读

制造商: Infineon

产品种类: GaN 场效应晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223-4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 400 mA
Rds On-漏源导通电阻: 4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 150 C
Pd-功率耗散: 1.8 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 15 ns
湿度敏感性: Yes
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
产品: MOSFET Small Signals
产品类型: GaN FETs
上升时间: 15 ns
系列: BSP299
1000
子类别: Transistors
技术: GaN
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 8 ns
零件号别名: BSP299L6327HUSA1
单位重量: 112 mg

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